IBMs phase-change memory (PCM) er hurtigere end flash og mere pålideligt end RAM

IBM har annonceret en ny og mere effektiv måde at bruge phase-change memory (PCM), der kan munde ud i en ny type hukommelse, der er både hurtigere og mere pålidelig.

PCM er en optisk lagringsteknologi, der fungerer ved at manipulere opførslen af chalcogenidt glas - hvilket er samme måde som genskrivbare data gemmes på et blu-ray medie: En elektrisk ladning ændrer PCM-cellerne fra en amorf struktur til en krystalliseret struktur, hvilket betyder at man kan gemme hhv. 0 eller 1 i hvert af stadierne.

Tidligere har begrænsningen på PCM været en begrænset lagringskapacitet og en høj pris, da man normalt kun kan gemme 1 bit per celle.

IBMs forskere har nu opnået at kunne gemme 3 bits per celle, ved at eksperimentere med hvordan krystallerne reagerer overfor høje temperature. Ifølge IBMs Haris Pozidis, betyder dette at PCM prisen bliver langt lavere end DRAM - og tættere på det vi kender fra flash RAM.

 

PCM kan modstå 10 millioner genskrivninger, hvilket overgår selv de bedste NAND-celler med en voldsomt høj gangefaktor, idet MLC (multi-layer cell) kun tåler 10.000 genskrivninger per celle (i praksis ofte omkring 3.000) og SLC (single-layer cell) 100.000 genskrivninger per celle.

Dette lover godt for både consumer-branchen såvel som enterprisesegmentet: Fremtidens mobiltelefoner kan eks. have hele sit operativsystem liggende på PCM, og vil således kunne starte på få sekunder - mens enterprisebrugere kan lagre hele databaser på PCM, og få langt hurtigere tilgangstider.

Billede: ibm

Kategori: Hardware  

Tags: ibm   pcm   phase-change memory   flash   ram   hukommelse