Micron annoncerer ny UFS 4.0 mobil lagring

Ved at benytte 232 lags NAND opnås bl.a. langt større båndbredde, strømbesparelse og lavere latency.

Micron har annonceret deres UFS (Universal Flash Storage) 4.0 til mobil lagring, hvor der benyttes 232 lags TLC 6-plans NAND.

Micron nævner op til 4300 MBps i sekventiel læsehastighed, og op til 4000 MBps i sekventiel skrivehastighed. Der er tale om en stor forbedring ift. sidste UFS 3.1 generation:

Micron UFS 3.1: 176-lags NAND, læsehastighed op til 1890 MB/s, skrivehastighed op til 1890 MB/s
Micron UFS 4.0: 232-lags NAND, læsehastighed op til 4300 MB/s, skrivehastighed op til 4000 MB/s

Derudover er UFS 4.0 op til 25% mere strømeffektivt end sidste generation.

Kapacitet går op til 1 TB, og testeksemplarer på hhv. 256 GB, 512 GB og 1 TB er sendt ud til mobilproducenter. Masseproduktion forventes at starte i 2. halvdel af 2023 eller tidligt i 2024.

Det betyder at vi kan forvente at se smartphones og tablets med Micron UFS 4.0 hukommelse i løbet af 2024.

Billede: micron

Kategori: Hardware   Mobil & tablet  

Tags: micron   ufs 4.0   tlc   nand