Kioxia og Sandisk præsenterer 10. generations flash hukommelse

Samarbejdet mellem de to firmaer har resulteret i en ny type flash hukommelse, der er 33% hurtigere end noget andet på markedet, samtidigt er strømforbruget faldet 10% for input og 34% for output.

Kioxia og Sandisk har på ISSCC 2025 præsenteret det de selv kalder 10. generations flash hukommelse. Aktuelt er vi på 8. generation, mens 9. generation er på vej.

Den nye 10. generations flash hukommelse har dog både en højere ydelse samt et lavere strømforbrug.

Overførselshastighederne går op til 4,8 Gbps (600 MB/s), hvilket er 33% hurtigere end noget andet produkt som er på markedet lige nu. Dette opnås via 3 nye teknologier: CMOS directly Bonded to Array (CBA) produktionsteknologi, et nyt Toggle DDR6.0 interface samt Separate Command Address protokol.

Derudover øges datadensiteten med over 59% ift. nuværende, hvilket muliggøres af de op til 332 hukommelseslag.

Sidst skal nævnes et lavere strømforbrug: 10% fald for input samt 34% fald for output. Dette opnås bl.a. via Power Isolated Low-Tapped Termination teknologien, og kan være interessant i AI-applikationer, hvor man har fokus på strømforbruget.

Der er endnu ingen forlydender om holdbarhed (genskrivninger pr. celle) eller udgivelsesdato, men et bud er at der vil gå 2-4 år før vi ser et egentligt produkt på markedet med 10. generations flash hukommelse.

Billede: sandisk

Kategori: Hardware   Mobil & tablet  

Tags: kioxia   sandisk   flash   nand