Ion-baseret data muliggør lagringsceller i atomstørrelse, der simulerer hjernens strukturer

Forskere fra Kiel University og Ruhr Universitat Bochum har fundet ud af at bruge ioner til at lagre informationer, og elektroner til at læse data - hvilket kan være et vigtigt skridt i at migrere fra ladningsbaseret lagring til en lagringsmodel baseret på modstand.

Forskerne har formået at reducere lagringsceller helt ned til samme dimensioner som et atom, og udviklet komponenter til lagring, der er baseret på elektrisk modstand. Disse komponenter består af to metalliske elektroder, der er separeret af en såkaldt ion-kondutor. Ved at øge spændingen ændrer modstanden i lagringscellerne sig.

Disse celler vil både blive billige at producere, og vil spare enormt meget plads idet størrelsen er den samme som for et atom.

Billede: nanowerk.com

Kategori: Hardware   Andet  

Tags: forskning   ionbaseret lagring   modstandsbaseret