Billede: Western Digital

Western Digital har annonceret at de nu udgiver deres første 3D NAND SSD'er til consumer markedet. Dette sker under WD Blue 3D og SanDisk Ultra 3D mærkerne. De to serier vil være identiske udover klistermærket på forsiden.

SSD'erne vil fås i kapaciteterne 250 GB, 500 GB, 1 TB og 2 TB. Alle modeller benytter S-ATA 6 Gb/s, hvilket betyder at vi ikke vil få at se de ekstremt høje læse- og skrivehastigheder som vi typisk ser med NVMe PCIe SSD'er.

Vi snakker i stedet her om 560 MB/s for sekventielle læsehastigheder og 530 MB/s for sekventielle skrivehastigheder.

Random read IOPS er opgivet til 95K mens random write IOPS er sat til 81 K for 250 GB modellerne mens vi er oppe på 84 K for drev med højere kapacitet.

MTBF er sat til 1,75 millioner timer, og holdbarheden for 250 GB-modellerne er 100 TB skrevet mens den for 2 TB-modellerne er 500 terabytes skrevet.

WD Blue 3D vil desuden kunne fås i en M.2 2880 formfaktor.

Der er ikke specifikke priser ude endnu, men Western Digital har indikeret at priserne vil starte på $99,99 for 250 GB og udgivelse vil finde sted i 3. kvartal i år.

Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   0   |   1622

Billede: toshiba

I øjeblikket afholdes Dell EMC World konferencen i Las Vegas, og her fremviser Toshiba for første gang deres 64-lags BiCS 3D NAND-baserede NVMe SSD. Der er tale om en prototype i XG-serien med 1 TB kapacitet.

Toshiba planlægger at udskifte alle SSD'er i deres klient-, datacenter- og enterpriseprodukter til BiCS 64-lags 3D NAND, da det er både hurtigere og billigere at producere.

I februar sendte Toshiba samples af deres nye BiCS FLASH enheder til samarbejdspartnere.

Toshiba er det hurtigst voksende indenfor lagringsmedier ifølge IDC.

Når Toshibas 64-lags BiCS 3D enheder rammer markedet senere i år, får de skarp konkurrence af Samsung der også har en 64-lags 3D-teknologi, som de ligeledes planlægger at udgive i løbet af i år.

Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   0   |   1628

Billede: intel

Intel har annonceret det første drev i Optane produktserien, som indeholder 3D XPoint hukommelse. Navnet er Intel Optane SSD DC P4800X, og kapaciteten er 375 GB mens formatet er PCIe.

Prisen er i USA sat til $ 1520, hvilket svarer til over $ 4 pr. GB.

Udgivelsen er dog begrænset i starten, men allerede i løbet af 2. halvår i år bliver det mere udbredt.

Derudover udkommer en 750 GB PCIe version samt en 375 GB U.2 version i løbet af 2. halvår i år, mens 1,5 TB PCIe samt 750 GB U.2 og 1,5 TB U.2 er i støbeskeen.

Intel har tidligere udtalt at 3D XPoint er 1.000 gange hurtigere end NAND flash, 10 gange tættere end DRAM og 1.000 gange mere holdbare end NAND. Der er dog ikke udpenslet hvilken NAND-arkitektur der er tale om.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: thimon   |   1   |   2125

Billede: youtube

For 2 år siden skrev vi om det fælles Intel og Micron projekt: 3D XPoint. Det har sidenhen ændret navn til Optane, og allerede i år får vi SSD DC P4800X at se.

Der er tale om et 375 GB drev mens udgaver på hhv. 750 GB og 1,5 TB kommer senere.

Fordelen ved denne teknologi er langt højere holdbarhed end de traditionelle NAND-baserede solid state drives, kombineret med højere performance i form af hurtigere skrivetider og hurtigere søgetider.

Søgetiderne er nedbragt til 10 mikrosekunder, hvor mange nuværende SSD topmodeller ligger på omkring 20 mikrosekunder.

Mens en læsehastighed på 2400 MB/s er set før, så er skrivehastigheder på 2000 MB/s tæt på at være det hurtigste SSD'er kan udføre.

Random IOPS for 4K-blokke er ligeledes voldsomt imponerende med 550K/500K tider.

Desuden er MTBF angivet til intet mindre end 1 million timer, så drevet ser ud til at leve op til Intel/Microns påståede 1000x højere holdbarhed (ift. NAND).

Se spec sheet ved at klikke på "Læs mere"-linket nedenfor.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   0   |   1950

Billede: CFA

CompactFlash Association (CFA) har annonceret at de arbjeder på en serie hukommelseskort, der vil byde på hastigheder op til 8 GB/s.

Navnet vil CFexpress, og planen er at disse kort skal udkomme i forskellige formfaktorer. Målgruppen er professionelle fotografer og videografer, såvel som PC'ere, servere og industrielt brug.

Kortene bruger PCIE generation 3 kommunikationsveje, og hver vej kan levere op til 1 GB/s. Kortene skal understøtte op til 8 veje, og således opnås hastigheder på op til 8 GB/s.

Behovet for til stadighed højere hastigheder, kommer især på baggrund af det stigende 4K-kameraer, hvor slow-motion 4K optagelser ikke p.t. kan lagres hurtigt nok, hvis man skyder i råformat.

Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   0   |   1939

Billede: Samsung

Samsung fremviste sidste år deres nye PM1633a SSD-serie, og nu er 16 TB-versionen på vej til butikkerne. Fordi der er afsat et ca. 700 GB til remapping, får man i praksis "kun" 15,26 TB plads.

Drevet er på blot 2,5", og enterprisebrugere (som også er målgruppen) vil således kunne få plads til flere af denne type drev, end de konventionelle 3,5" drev.

Den nye SSD er bygget op af 512 stk. 256 Gb vertikale NAND hukommelseschips.

Prisen er endnu ukendt, men senere i år udkommer 480 GB, 960 GB, 1,92 TB, 3,84 TB og 7,68 TB versioner.

Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: thimon   |   0   |   2386

Billede: Intel

Intel og Micron Technology annoncerede deres 3D XPoint hukommelsesteknologi tilbage sidst i juli i år.

Dengang lovede de 1.000 gange hurtigere performance end NAND flash samt 1.000 gange højere holdbarhed end NAND flash.

Teknologien, som Intel vil sælge under navnet Optane, er nu blevet fremvist igen - hvilket er anden gang, hvor første gang var til IDF 2015 i midten af august.

Denne gang blev en prototype af en Optane SSD sat op imod den hurtige Intel P3700 NAND PCI Express SSD, i identiske serveropsætninger.

Optane SSD'en vandt med en 4,4 gange hurtigere ydelse samt 6,4 gange mindre latency.

I en anden test ydede Optane 7,13 gange hurtigere end den konkurrerende disk, og gav 8,11 gange lavere latency.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: thimon   |   0   |   2305

Billede: sandisk

SanDisk og HP har annonceret, at de har indgået samarbejde om at skabe en ny type hukommelse, der ligesom 3D XPoint fra Intel og Micron, vil blive 1.000 gange hurtigere end NAND samt 1.000 gange mere holdbar.

SanDisk er kendt som en af verdens førende NAND-producenter, og vil lade deres non-volatile ReRam teknologi indgå i samarbejdet. Fra HP's side af kommer Memristor teknologien.

Der er endnu ingen forlydender om hvornår et egentligt produkt vil blive lanceret, men Intel og Micron bringer 3D XPoint på markedet allerede i 2016.

Læs også: Annnocering af XPoint

Læs også: IDF-fremvisning af XPoint

Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   4   |   2515

Billede: Samsung

Samsung har i deres nyeste SSD, brugt både V-NAND og NVMe (Non-Volatile Memory Host Controller Interface), og 950 Pro drevet kan dermed levere sekventielle skrivehastigheder på op til 2.500 MBps og sekventielle læsehastigheder op til 1.500 MBps.

Det er 4 gange højere læsehastigheder og 3 gange højere skrivehastigheder end forgængeren 850 Pro.

950 Pro bliver tilgængeligt i oktober, hvor 256 GB-versionen starter på $ 199,99 dollars og 512 GB-versionen starter på $ 349,99 dollars. De danske priser kendes endnu ikke.

Normalt kan man dog regne med de samme tal i Euro, hvilket vil betyde ca. 1500 kroner for 256 GB-versionen og ca. 2600 kroner for 512 GB-versionen.

Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   3   |   2357

Billede: Samsung

Samsung har annonceret 3 stk. TCO-optimerede solid state drev, der alle tre er baseret på 3D V-NAND flash hukommelse. Topmodellen PM1725 kan læse op til 5.500 megabytes/sekund sekventielt.

Random read er oppe på 1 million IOPS, random write er på 120.000 IOPS og sekventiel skrivning går helt op til 1.800 megabytes/sekund.

PM1725 kommer i to størrelser: 3,2 TB og 6,4 TB. PM1725 er en HHHL korttyp NVMe SSD.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   3   |   2442

Billede: youtube

Intel har i partnerskab med Micron, annonceret hvad de kalder et større gennembrud indenfor hukommelsesteknologi. De kalder den nye teknologi for 3D XPoint (skal udtales "crosspoint") - og Intel udtaler at det er det største gennembrud siden NAND flash, der blev introduceret i 1989.

Problemet med DRAM er at det er dyrt at producere, og kapaciteten er ved at være for lav. Derudover er RAM flygtigt: Det holder ikke information så snart strømmen er væk. Omvendt har vi NAND, der ganske vist holder informationen og er mange gange hurtigere end konventionelle magnetiske harddiske - men hastigheden er stadigvæk langt fra DRAM.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: stig.voss   |   0   |   2767