Billede: Samsung

Samsung har annonceret 3 stk. TCO-optimerede solid state drev, der alle tre er baseret på 3D V-NAND flash hukommelse. Topmodellen PM1725 kan læse op til 5.500 megabytes/sekund sekventielt.

Random read er oppe på 1 million IOPS, random write er på 120.000 IOPS og sekventiel skrivning går helt op til 1.800 megabytes/sekund.

PM1725 kommer i to størrelser: 3,2 TB og 6,4 TB. PM1725 er en HHHL korttyp NVMe SSD.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   3   |   2247

Billede: youtube

Intel har i partnerskab med Micron, annonceret hvad de kalder et større gennembrud indenfor hukommelsesteknologi. De kalder den nye teknologi for 3D XPoint (skal udtales "crosspoint") - og Intel udtaler at det er det største gennembrud siden NAND flash, der blev introduceret i 1989.

Problemet med DRAM er at det er dyrt at producere, og kapaciteten er ved at være for lav. Derudover er RAM flygtigt: Det holder ikke information så snart strømmen er væk. Omvendt har vi NAND, der ganske vist holder informationen og er mange gange hurtigere end konventionelle magnetiske harddiske - men hastigheden er stadigvæk langt fra DRAM.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: stig.voss   |   0   |   2601

Billede: Panasonic

Panasonic Center i Osaka, Japan, har lavet en fotobod med 120 stk. LUMIX GH4 systemkameraer, der tilbyder at lave 3D portrætter i plastikfigurer.

Selve scannet udføres på 1/1000s, hvilket betyder at du kan bevæge dig - bl.a. kan du hoppe - og du vil stadigvæk blive fanget skarpt.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   1   |   2160