Billede: intel

Intel har annonceret det første drev i Optane produktserien, som indeholder 3D XPoint hukommelse. Navnet er Intel Optane SSD DC P4800X, og kapaciteten er 375 GB mens formatet er PCIe.

Prisen er i USA sat til $ 1520, hvilket svarer til over $ 4 pr. GB.

Udgivelsen er dog begrænset i starten, men allerede i løbet af 2. halvår i år bliver det mere udbredt.

Derudover udkommer en 750 GB PCIe version samt en 375 GB U.2 version i løbet af 2. halvår i år, mens 1,5 TB PCIe samt 750 GB U.2 og 1,5 TB U.2 er i støbeskeen.

Intel har tidligere udtalt at 3D XPoint er 1.000 gange hurtigere end NAND flash, 10 gange tættere end DRAM og 1.000 gange mere holdbare end NAND. Der er dog ikke udpenslet hvilken NAND-arkitektur der er tale om.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: thimon   |   1   |   2208

Billede: youtube

For 2 år siden skrev vi om det fælles Intel og Micron projekt: 3D XPoint. Det har sidenhen ændret navn til Optane, og allerede i år får vi SSD DC P4800X at se.

Der er tale om et 375 GB drev mens udgaver på hhv. 750 GB og 1,5 TB kommer senere.

Fordelen ved denne teknologi er langt højere holdbarhed end de traditionelle NAND-baserede solid state drives, kombineret med højere performance i form af hurtigere skrivetider og hurtigere søgetider.

Søgetiderne er nedbragt til 10 mikrosekunder, hvor mange nuværende SSD topmodeller ligger på omkring 20 mikrosekunder.

Mens en læsehastighed på 2400 MB/s er set før, så er skrivehastigheder på 2000 MB/s tæt på at være det hurtigste SSD'er kan udføre.

Random IOPS for 4K-blokke er ligeledes voldsomt imponerende med 550K/500K tider.

Desuden er MTBF angivet til intet mindre end 1 million timer, så drevet ser ud til at leve op til Intel/Microns påståede 1000x højere holdbarhed (ift. NAND).

Se spec sheet ved at klikke på "Læs mere"-linket nedenfor.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   0   |   2057

Billede: Intel

Intel og Micron Technology annoncerede deres 3D XPoint hukommelsesteknologi tilbage sidst i juli i år.

Dengang lovede de 1.000 gange hurtigere performance end NAND flash samt 1.000 gange højere holdbarhed end NAND flash.

Teknologien, som Intel vil sælge under navnet Optane, er nu blevet fremvist igen - hvilket er anden gang, hvor første gang var til IDF 2015 i midten af august.

Denne gang blev en prototype af en Optane SSD sat op imod den hurtige Intel P3700 NAND PCI Express SSD, i identiske serveropsætninger.

Optane SSD'en vandt med en 4,4 gange hurtigere ydelse samt 6,4 gange mindre latency.

I en anden test ydede Optane 7,13 gange hurtigere end den konkurrerende disk, og gav 8,11 gange lavere latency.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: thimon   |   0   |   2388

Billede: sandisk

SanDisk og HP har annonceret, at de har indgået samarbejde om at skabe en ny type hukommelse, der ligesom 3D XPoint fra Intel og Micron, vil blive 1.000 gange hurtigere end NAND samt 1.000 gange mere holdbar.

SanDisk er kendt som en af verdens førende NAND-producenter, og vil lade deres non-volatile ReRam teknologi indgå i samarbejdet. Fra HP's side af kommer Memristor teknologien.

Der er endnu ingen forlydender om hvornår et egentligt produkt vil blive lanceret, men Intel og Micron bringer 3D XPoint på markedet allerede i 2016.

Læs også: Annnocering af XPoint

Læs også: IDF-fremvisning af XPoint

Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   4   |   2625

Billede: youtube

Intel CEO Brian Krzanich har fortalt, at Intel forudser 3 ting indenfor computere:

• Sensification: Computere vil i øget grad benytte syn, lyd og berøring.
• Smart and connected: Flere apparater vil få mulighed for smart-teknologi samt at være forbundne.
• Extension: Disse apparater vil blive en forlængelse af brugeren.

Brian Krzanich fremviste en Project Tango-baseret smartphone med RealSense kamera, der kunne mappe et rum i realtime, inklusive dybde/distance data. Da kameraet blev panoreret rundt i lokalet, blev møbler, vægge mv. fanget og mappet i 3D.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   0   |   2833

Billede: youtube

Intel har i partnerskab med Micron, annonceret hvad de kalder et større gennembrud indenfor hukommelsesteknologi. De kalder den nye teknologi for 3D XPoint (skal udtales "crosspoint") - og Intel udtaler at det er det største gennembrud siden NAND flash, der blev introduceret i 1989.

Problemet med DRAM er at det er dyrt at producere, og kapaciteten er ved at være for lav. Derudover er RAM flygtigt: Det holder ikke information så snart strømmen er væk. Omvendt har vi NAND, der ganske vist holder informationen og er mange gange hurtigere end konventionelle magnetiske harddiske - men hastigheden er stadigvæk langt fra DRAM.

» Læs mere   |   Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: stig.voss   |   0   |   2846