Billede: Samsung

Samsung er gået i gang med at producere 4 GB RAM-moduler af typen HBM2, der er 7 gange hurtigere end DDR5. De produceres ved 20 nm og udbydes primært til serverproducenter, men også NVidia og AMD vil kunne bruge dem til at accellerere deres performance mens de samtidigt kan reducere strømforbruget på kommende grafikkort.

4 GB-modulerne produceres med 4 lag af 8-gigabit kerner, og i slutningen af året planlægger Samsung at introducere 8 GB-produkter med 8 lag.

Ifølge Samsung spares der over 95% plads i forhold til at bruge GDDR5 DRAM, hvilket betyder at NVidia og AMD kan lave grafikkort der udnytter pladsen bedre - til eks. at få dem kølet bedre og være hurtigere.

Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: thimon   |   0   |   2234

Billede: Samsung

Samsung er begyndt at masseproducere DRAM-moduler med den største kapacitet og højeste energieffektivitet nogensinde - nemlig deres 128 GB DDR4-moduler.

Deres design er muliggjort via TSV-teknologien.

128 GB-modulet består af 144 stk. DDR4-chips som er arrangeret i 4 GB DRAM-pakker. Med 18 stk. på hver side er der 36 stk. ialt.

Styringschips for hver 4 GB pakke indeholder data buffer funktioner, der optimerer performance og strømforbrug.

Hastighederne går op til 2400 megabit/sekund, hvilket er dobbelt op på performance for det halve strømforbrug, i forhold til det tidligere DRAM-modul med den højeste kapacitet - nemlig 64 GB LRDIMM.

Disse nye 128 GB-moduler er naturligvis designet til enterprise-servere og datacentre. I de kommende uger vil Samsung udgive et komplet lineup af TSV DRAM-moduler, og samtidigt booste overførselshastighederne til 3200 megabit/sekund.

Redaktør: jakobdam   |   Indsendt af: jakobdam   |   0   |   2419