![]()
Billede: intel |
Torsdag, 30. marts 2017 - 09:48 HardwareIntel påstår deres 10nm Cannon Lake vil være en hel generation foran Samsung og TMSCIfølge Intel vil deres 3. generation FINFET som vi kommer til at kende som 10nm Cannon Lake arkitekturen, være en hel generation foran Samsung og TMSC, takket være "hyper scaling" der gør at de kan placere dobbelt så mange transistorer på samme areal. Dette vil resultere i CPU'er med 25% højere performance og 45% lavere strømforbrug end den nuværende Kaby Lake generation. Ydermere mener Intel at kunne tilbyde Cannon Lake CPU'erne i slutningen af 2017 til en 30% lavere pris end konkurrenter såsom AMD. Samsung producerer allerede chips ved 10nm, såsom Snapdragon 835, men ifølge Intel har deres Cannon Lake en højere densitet der tillader dobbelt så mange transistorer ift. Samsung 10nm chips. Intel har desuden allerede planlagt at udgive videreudviklinger af deres 10nm-teknologi, som de kalder 10+ og 10++. Disse vil ifølge Intel give et boost i performance på hhv. 15% og 30%. Intel planlægger at producere 10nm-chips i 3 år før de udgiver 7nm teknologi.
Redaktør: jakobdam |
Indsendt af: thimon |
|
^ Gå til top | 1 |
© TechStart.dk | v1.5 | 2025 | Webdesign og programmering af Deep Art Media v/Jakob Dam