![]()
Billede: ibm |
Mandag, 23. maj 2016 - 15:58 HardwareIBMs phase-change memory (PCM) er hurtigere end flash og mere pålideligt end RAMIBM har annonceret en ny og mere effektiv måde at bruge phase-change memory (PCM), der kan munde ud i en ny type hukommelse, der er både hurtigere og mere pålidelig. PCM er en optisk lagringsteknologi, der fungerer ved at manipulere opførslen af chalcogenidt glas - hvilket er samme måde som genskrivbare data gemmes på et blu-ray medie: En elektrisk ladning ændrer PCM-cellerne fra en amorf struktur til en krystalliseret struktur, hvilket betyder at man kan gemme hhv. 0 eller 1 i hvert af stadierne. Tidligere har begrænsningen på PCM været en begrænset lagringskapacitet og en høj pris, da man normalt kun kan gemme 1 bit per celle. IBMs forskere har nu opnået at kunne gemme 3 bits per celle, ved at eksperimentere med hvordan krystallerne reagerer overfor høje temperature. Ifølge IBMs Haris Pozidis, betyder dette at PCM prisen bliver langt lavere end DRAM - og tættere på det vi kender fra flash RAM.
» Læs mere |
Redaktør: jakobdam |
Indsendt af: thimon |
|
^ Gå til top | 1 |
© TechStart.dk | v1.5 | 2025 | Webdesign og programmering af Deep Art Media v/Jakob Dam